TFT Thin Film Transistor의 약어로 전계효과트랜지스터FET:Field Effect Transistor)인 MOS(Metal Oxide Semiconducter)FET의 일종으로 유리기판 위에 아모르퍼스실리콘(a-Si) 등의 반도체박막을 형성시켜 여기에 FET구조를 만든 것을 말한다. 박막(thin film)형성기술은 수백옹스트롬 내지 수천옹스트롬의 얇은 막을 절연기판상에 진공증착에 의해 형성하는 기술로서 처음엔 박막재료로서 CdS 등이 사용됐으나 지금은 아모르퍼스 실리콘막이 주류를 이루고 있다. 아모르 퍼스 실리콘TFT의 드레인과 소스층은 고농도의 아모르퍼스 실리콘으로 형성, 절연층은 CVD(Chemical Vapor Deposition)기법에 의해 형성된다. FET(전계효과 트랜지스터)는 반도체표면에 절연체를 이용해 전계를 인가, 반도체표면에 형성되는 전류통로(채널)의 도전도를 제어하는 절연게이트형과 역바이어스된 게이트 접합부에 생기는 공지층의 폭으로 반도체내부의 채널도전도를 제어하는 접합형으로 대별되는데 FET는 전자 또는 정공의 한쪽만이 전도에 기여하기 때문에 유니 폴라소자라고도 불리며, 전자와정공의 양쪽이 다 전도에 기여하는 것을 바이폴러소자라고 한다. MOSFET는 반도체메모리, 마이크로프로세서 등의 LSI, VLSI구 성소자로서만이 아니라 CCD(charge coupled device), 파워반도체소자, 마이크로파 소자로서 폭넓게 사용되는 반도체소자이며 TFT는 액정디스플레이의 구동 용소자로서 불가결의 것이 돼 있다.